[发明专利]纳米碳材合成装置及方法无效

专利信息
申请号: 200510035667.6 申请日: 2005-06-30
公开(公告)号: CN1891623A 公开(公告)日: 2007-01-10
发明(设计)人: 张耕铭 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C01B31/02 分类号: C01B31/02;B82B3/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种连续合成纳米碳材的装置,其包括一第一真空腔,一第二真空腔,一第三真空腔,及一载具。该第二及第三真空腔分别经由一阀门与该第一真空腔实现通闭。该第一真空腔包含有一阳极,一排气口,及一可相对于第一真空腔移动的导电体。该第二真空腔包括一抽气口,及一控制装置。该第三真空腔包括一抽气口。该载具包括一阴极放置槽,一与该阴极放置槽相连通的电极孔,及一位于该阴极放置槽内的阴极,上述控制装置可将被装载在该第二真空腔内的该载具送入该第一真空腔及第三真空腔,当该载具被装载在该第一真空腔内一预定位置时,该导电体可通过上述电极孔与该阴极实现电连接。本发明还提供一种纳米碳材合成方法。
搜索关键词: 纳米 合成 装置 方法
【主权项】:
1.一种纳米碳材合成装置,其包括:一第一真空腔,其包括一阳极,一排气口,及一可相对于该第一真空腔移动的导电体;一第二真空腔,其包括一第一抽气口,及一控制装置,该第二真空腔经由一第一阀门与该第一真空腔实现通闭;一第三真空腔,其包括一第二抽气口,该第三真空腔经由一第二阀门与该第一真空腔实现通闭;及一载具,其包括一阴极放置槽,一与该阴极放置槽相连通的电极孔,及一位于该阴极放置槽内的阴极,上述控制装置可将被装载在该第二真空腔内的该载具送入该第一真空腔及第三真空腔,当该载具被送至该第一真空腔内一预定位置时,该导电体可穿过上述电极孔与该阴极实现电连接。
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