[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200510035673.1 | 申请日： | 2005-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1744333A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 彭少鹏 | 申请（专利权）人： | 东莞市福地电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 东莞市中正知识产权事务所 | 代理人： | 鲁慧波 |
| 地址： | 523082广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管的结构及其制造方法。发光二极管的基板1上为P型接触电极2，P型接触电极2上阵列设有发光单包42，相邻发光单包42之间有由二氧化硅层和氮化硅层交错层叠而成的反射绝缘膜3。发光单包42上有网格状的N型接触电极5。该二极管制造方法的特征在于：在P型接触电极2和基板1分别蒸镀一层厚金，将两厚金层叠放在一起，加压加温使外延片和基板1接合；以短波长准分子激光照射蓝宝石基板7并作用于缓冲层10，置入高温炉管中并导入氯化氢气体，将蓝宝石基板7剥离。本发光二极管有效解决了蓝宝石基板导电导热性差和易出现电流集中效应的问题，使用可靠性好且寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括基板(1)、P型接触电极(2)、发光体(4)和N型接触电极(5)，其特征在于：P型接触电极(2)设在基板(1)上，发光体(4)设有P型接触电极(2)上，N型接触电极(5)设在发光体(4)上。
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