[发明专利]场发射阴极、其制造方法及平板型光源有效
| 申请号： | 200510036029.6 | 申请日： | 2005-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1897204A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 杜秉初;唐洁;刘亮;郭彩林;陈丕瑾;胡昭复;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;H01J63/02 |
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| 地址： | 518109*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种场发射阴极、一种采用该场发射阴极的平板型光源。该场发射阴极包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射层，所述电子发射层含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒。该平板型光源包括：所述场发射阴极；及一阳极，其包括一阳极导电层及一形成在所述阳极导电层上的荧光层，该荧光层和所述电子发射层相对。该平板型光源的使用寿命长及电子发射层的场发射特性强。本发明还提供一种场发射阴极的制造方法，该方法简单及成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 阴极 制造 方法 平板 光源 | ||
【主权项】：
1.一种场发射阴极，包括：一阴极导电层及一形成在所述阴极导电层上的电子发射层；其特征在于：所述电子发射层含有碳纳米管、低熔点玻璃及导电金属微粒。
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