[发明专利]一种直接生长三维纳米网状结构的方法无效
| 申请号： | 200510036119.5 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1718535A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;周军;邓少芝;龚力;陈军;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生长三维纳米网状结构的方法。本方法亦称热蒸发法，以金属粉末作为原料，硅片、氧化铝片及其他耐高温的材料为衬底。在惰性气体保护下，通过加热金属粉末至一定温度，并保温一段时间，在衬底上可以生长单晶的金属氧化物的三维纳米网状结构。本方法工艺简单直接，原材料成本低。所生长的三维纳米网状结构将在真空微电子器件和气体传感器上有着巨大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 生长 三维 纳米 网状结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直接生长三维纳米网状结构的方法，按照以下步骤进行：1)清洗衬底，除去衬底上的杂质；2)将金属粉和衬底一起放在真空加热装置，连同加热装置预抽至5.0×10-2托以上真空度，然后往真空加热装置通入惰性气体并保持恒定流速；3)将金属粉加热至1300-1450℃，衬底温度为850-1005℃；4)将金属粉末和衬底在所加热的温度下保温1分钟至30分钟后降温，直至冷却至室温。
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