[发明专利]半导体双端面泵浦Nd:YVO4高功率单模固体激光器无效
| 申请号： | 200510036276.6 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1905295A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 周复正;吕凤萍;周宇超;马淑贞;郑珺晖;高云峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市大族激光科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/08;H01S3/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种半导体双端面泵浦Nd:YVO4高功率单模固体激光器，包括两个激光二极管、45°镜、两根光纤、两套光学耦合系统、Nd:YVO4晶体、调Q开关、全反镜、输出镜和冷却装置，理论上对该激光器的腔结构、热透镜焦距、Nd:YVO4晶体的掺杂浓度与破坏阈值以及晶体长度进行综合优化详细设计。通过实验，发现实验结果与理论设计符合得很好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 端面 nd yvo4 功率 单模 固体激光器 | ||
【主权项】：
1、一种半导体双端面泵浦Nd:YVO4高功率单模固体激光器，其特征在于：包括两个激光二极管、450镜、两根光纤、两套光学耦合系统、Nd:YVO4晶体、调Q开关、全反镜、输出镜和冷却装置，理论上对该激光器的腔结构、热透镜焦距、Nd:YVO4晶体的掺杂浓度与破坏阈值以及晶体长度进行综合优化详细设计。
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