[发明专利]碳纳米管制备方法及装置无效
| 申请号： | 200510036439.0 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1907845A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 萧博元;张庆州;何纪壮 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，其具有一表面；在该基底表面上形成一催化剂颗粒阵列；在该基底表面上的该催化剂颗粒阵列的相对位置形成一电极；在该基底表面上形成一凹槽，该催化剂颗粒阵列与电极分别位于该凹槽相对的两侧；向该电极上通入电流以产生磁场，在该催化剂颗粒阵列上生长碳纳米管，该碳纳米管将向电极方向成长。本发明还提供一种碳纳米管制备装置。本发明提供的碳纳米管制备方法及装置，可实现具有均一长度的碳纳米管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，其具有一表面；在该基底表面上形成一催化剂颗粒阵列；在该基底表面上的该催化剂颗粒阵列的相对位置形成一电极；在该基底表面形成一凹槽，该催化剂颗粒阵列与电极分别位于该凹槽的相对的两侧；向该电极上通入电流以产生磁场，在该催化剂颗粒阵列上生长碳纳米管，该碳纳米管将向电极方向成长。
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