[发明专利]碳纳米管阵列制备装置及方法有效
| 申请号： | 200510036746.9 | 申请日： | 2005-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1915805A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | 姜开利;陈卓;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管阵列制备装置，其包括：一反应腔；一局部加热装置，用以加热装载于该反应腔内的碳纳米管生长用催化剂；及一气态碳供给装置，用以在装载于该反应腔内的催化剂的上游位置向该反应腔提供一气态碳。本发明通过设置一局部加热装置及气态碳供给装置，可在反应腔的催化剂层位置处形成明显的温度梯度，及在反应腔内提供充足的碳源；其可实现碳纳米管阵列的快速生长，且可在基底上生长出单壁碳纳米管阵列。本发明还提供一碳纳米管阵列制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管阵列制备装置，其包括：一反应腔；一局部加热装置，用以加热装载于该反应腔内的碳纳米管生长用催化剂；及一气态碳供给装置，用以在装载于该反应腔内的催化剂的上游位置向该反应腔提供一气态碳。
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