[发明专利]低聚噻吩衍生物及其制备方法和应用

摘要

本发明涉及新型低噻吩衍生物及其制备方法和应用，所述低聚噻吩衍生物是2，2′∶5′，2″∶5″，2″′∶5″′，2″″－五噻吩；其制备方法包括：第一步、在N₂的保护下，反应瓶中依次加入镁片、四氢呋喃溶剂、经四氢呋喃溶剂稀释的2－溴噻吩，搅拌反应；第二步、将镍催化剂加入5，5″－二溴－2，2′∶5′，2″－三噻吩的四氢呋喃溶液中，然后滴加第一步得到的产物，反应后减压除去溶剂，然后用硅胶柱分离。所述低聚噻吩衍生物制备得到的太阳能电池器件在78.2mW/cm²模拟太阳光的光照情况下可以获得2.10V的开路电压和3.40mA/cm²的短路电流，填充因子达27.5％，光电转换效率达2.50％。

主权项

1、一种低聚噻吩衍生物，其特征在于是2，2′：5′，2″：5″，2：5，2″″-五噻吩，具有如下结构的分子式：其物理参数如下：质谱：m/z 413(M⁺)；核磁共振氢谱：δ(ppm)＝7.33(s，2H)，7.13(m，4H)，7.02(s，2H)，6.92(s，2H)，6.80(s，2H)；红外光谱：(KBr method，cm^-1)：3008(ν_C-H)。