[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 200510037214.7 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1928683A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1368 | 分类号： | G02F1/1368;H01L21/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板，其包括一玻璃基底、一形成在该玻璃基底上的半导体层、一形成在该半导体层上的栅极绝缘层和一形成在该栅极绝缘层上的栅极线和公共电极线，其中，该栅极绝缘层包括一低介电常数区域和一高介电常数区域，该高介电常数区域具有可增加介电常数的离子元素，且该公共电极线对应该栅极绝缘层的高介电常数区域设置。该薄膜晶体管阵列基板可增加储存电容值。本发明还提供该薄膜晶体管阵列基板的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其包括一玻璃基底、一位于该玻璃基底上的半导体层、一形成在该半导体层上的栅极绝缘层和一形成在该栅极绝缘层上的栅极线和公共电极线，其特征在于：该栅极绝缘层包括一低介电常数区域和一高介电常数区域，该高介电常数区域具有可增加介电常数的离子元素，且该公共电极线对应该栅极绝缘层的高介电常数区域设置。
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