[发明专利]金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统及方法无效
| 申请号： | 200510037324.3 | 申请日： | 2005-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1932823A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 陈俊仁 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统，该系统包括：一计算机主机、至少一显示装置及输入装置。显示装置提供一用户使用界面，用户通过输入装置输入的数据可通过显示屏幕显示。计算机主机包括多个软件功能模块，这些模块可以通过接收厂商提供的数据，自动进行元件参数的萃取，同时可以根据需要计算出温度系数。本发明还揭露一种金属氧化物半导体场效应管的参数萃取方法。通过本发明，可自动进行MOSFET元件参数的萃取，同时也可以计算出温度系数以提高模拟的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 参数 萃取 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效应管的参数萃取系统，其可自动萃取金属氧化物半导体场效应管的元件参数，并根据需要计算出元件的温度系数，该系统包括一计算机主机、至少一显示装置及输入装置，其特征在于，该计算机主机包括：一操作选择模块，用于选择所要进行的操作；一数据接收模块，用于接收用户输入的数值；一判断模块，用于判断接收到的用户输入的数据是否有效；一参数萃取模块，用于根据以上接收的数据进行元件参数的萃取。
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