[发明专利]并联阵列式微型制冷器及其制备方法无效
| 申请号： | 200510037664.6 | 申请日： | 2005-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN1645013A | 公开（公告）日： | 2005-07-27 |
| 发明（设计）人： | 陈云飞;陈益芳;杨决宽;宫昌萌;胡明雨 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02;H01L35/34 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 并联阵列式微型制冷器及其制备方法是一种用来提高对激光器件、计算机CPU的温度控制，改善芯片内部的散热，从而提高器件芯片的工作效率，延长使用寿命的技术，其层状结构，其位置排列依次为：P型半导体的硅基底(6)，P型半导体的缓冲层(7)，P型半导体的第一重掺杂层(8)，P型半导体的超晶格层(9)，P型半导体的第二重掺杂层(10)，P型半导体的轻掺杂层(11)，金属层(13)；二氧化硅隔离层(12)位于P型半导体之间以及金属层与P型半导体的第一重掺杂之间。制造工艺采用氧化物隔离工艺形成并联阵列式微型制冷器，因而可以提高器件制造的成品率，同时也减少了接触面积，从而使得界面接触电阻得到很大的降低，大大提高了致冷效率。 | ||
| 搜索关键词： | 并联 阵列 式微 制冷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种并联阵列式微型制冷器，其特征在于该微型制冷器的结构为层状结构，其层状位置排列依次为：P型半导体的硅基底(6)，P型半导体的缓冲层(7)，P型半导体的第一重掺杂层(8)，P型半导体的超晶格层(9)，P型半导体的第二重掺杂层(10)，P型半导体的轻掺杂层(11)，金属层(13)；二氧化硅隔离层(12)位于P型半导体之间以及金属层与P型半导体的第一重掺杂之间。
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