[发明专利]一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法

摘要

本发明公开了一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，该方法是在由一系列同轴的石英管和石英环的反应器中进行的。其方法步骤是：(1)、将衬底6放置在衬底托7上，一并放入反应室，并将反应室抽真空；(2)、反应物I由进气管1输入，反应物II由进气环3输入，隔离气由进气环2输入，压迫气由进气环4输入；(3)、将衬底加热至设定温度，反应物I和反应物II接近衬底6表面时均匀混合，并吸附在处于高温的衬底6表面发生分解反应，从而在衬底6上生长成均匀宽带隙的半导体薄膜。该方法成本低、技术难度小、实用性强、特别适用于各种GaN基和ZnO基等宽带隙结构材料的生长与器件结构材料的研究。

主权项

1.一种获取均匀宽带隙半导体薄膜的同轴进气方法，其方法步骤如下：a.首先将衬底(6)的材料清洗后放置在衬底托(7)上，一并放入反应室内，反应室用机械泵和分子泵从真空抽气口(9)抽真空，本底真空度抽至10-3Pa；b.反应物I由高纯气携带从进气管(1)输入，反应物II由进气环(3)输入，隔离气由进气环(2)输入，隔离气把反应物I和反应物II进行隔离，压迫气由进气环(4)输入，压迫气促使反应物I的气流和反应物II的气流以及隔离气的气流尽量抵达衬底表面，并控制反应室的压力和衬底(6)与进气口的距离D；c.衬底(6)由置于衬底托(7)下的电炉加热，加热到设定温度后，反应物I由高纯气携带从进气管(1)进入反应区，反应物II通过进气环(3)通入反应区，两种反应物接近衬底(6)表面时均匀混合，并吸附在处于高温的衬底(6)表面发生分解反应，从而在衬底(6)上生长成均匀宽带隙半导体薄膜。