[发明专利]CMOS工艺兼容的相对湿度传感器有效
| 申请号： | 200510038023.2 | 申请日： | 2005-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN1657927A | 公开（公告）日： | 2005-08-24 |
| 发明（设计）人： | 彭韶华;黄庆安;秦明;张中平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22;G01N27/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于检测湿度的CMOS工艺兼容相对湿度传感器，由衬底，氧化层，电容下极板，电容上极板组成，氧化层设在衬底上，电容下极板平铺于氧化层上，电容上极板位于衬底和氧化层的上方；本发明具有制作方法和结构非常简单，温度漂移小，抗干扰能力强，有效降低生产成本，具有响应迅速，有利于后续电子电路的检出等优点。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 工艺 兼容 相对湿度 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种用于检测湿度的CMOS工艺兼容相对湿度传感器，由衬底(1)，氧化层(2)，电容下极板(3)，电容上极板(4)组成，氧化层(2)设在衬底(1)上，其特征在于电容下极板(3)平铺于氧化层(2)上，电容上极板(4)位于衬底(1)和氧化层(2)的上方。
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