[发明专利]一种介电滤波薄膜材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法，该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术，在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料，其中第一、三、五、七层为SiO₂膜或Si膜，第二、四、六层为Si膜或SiO₂膜，用该技术制备时膜厚控制精确，而且材料中间不存在空气间隙层，该材料结构稳定，而且容易控制，并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带，在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能，得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米，与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77％和0.00％。

主权项

1.一种介电滤波薄膜材料，由衬底和两种介电材料SiO2和Si所构成，在SiO2/Si多层结构中间夹有一个空气间隙层，其特征在于在衬底上逐次生长出具有七层结构的材料，其中第一、三、五、七层为SiO2膜，第二、四、六层为Si膜，或者第一、三、五、七层为Si膜，第二、四、六层为SiO2膜，每层SiO2膜厚为260-270纳米，每层Si膜厚为110-120纳米，中间的第四层Si膜厚为880-960纳米，或第四层SiO2膜厚为2080-2180纳米，中间不存在空气间隙层。