[发明专利]一种硅太阳电池的结构与制作方法无效
| 申请号： | 200510039002.2 | 申请日： | 2005-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1719621A | 公开（公告）日： | 2006-01-11 |
| 发明（设计）人： | 赵建华;王爱华;张凤鸣 | 申请（专利权）人： | 南京中电光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 211100江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种N型硅太阳电池的结构：在N型硅片上，背面设有P型发射结，正面和制备P型发射结的背面均设有丝网印刷的金属电极。N型硅太阳电池的制作方法是将N型硅片进行前道化学预处理、绒面腐蚀；背面以硼扩散制备背面P型发射结；生长氧化层；正面PECVD淀积氧化层；丝网印刷正面、背面金属电极；烧结金属即电极金属化；硼扩散时采用三溴化硼液态源硼扩散，恒温区控制在800－1000℃，扩散时间约为10－50分钟，扩散时硅片在石英舟上背对背放置，同时阻挡硅片正面被硼扩散，硼扩散的结深要在0.5－5微米。本发明实现一个低成本、高效率的太阳电池制造技术，使产品有竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种N型硅太阳电池的结构：其特征是在N型硅片上，背面设有P型发射结，正面和制备P型发射结的背面均设有丝网印刷的金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
