[发明专利]一种化学气相沉积装置及其沉积方法

摘要

化学气相沉积装置及其沉积方法，是应用于在金属层或催化剂上采用高温化学气相沉积方法生长薄膜或材料如碳纳米纤维等的方法，利用高频磁场作用对放置在非金属反应室内的金属层上产生涡流效应，将非金属板上的金属层、金属板、金属催化剂等形式的含金属层的基板加热，通过控制磁场的强弱、磁场的频率和作用时间，可以控制加热的温度，使需要产生和能够产生化学气相沉积的金属层部分达到反应发生所需要的温度，使化学气相沉积发生在温度达到要求的金属层部分，实现定位生长。同时对于催化剂是铁、镍等导磁材料颗粒的情况，如碳纳米纤维的生长时，控制高频磁场的极性，可以控制导磁材料的取向，从而控制化学气相沉积材料的定向生长。

主权项

1、一种化学气相沉积装置，其特征在于该装置由带反应气体通入口(2)和反应后气体导出口(3)的反应室腔体(1)、需要化学相沉积的带有金属层的基板(5)、放置基板的非金属隔热支架(9)、高频磁场产生装置(7)、反应气体(6)组成；其中反应气体(6)位于反应室腔体(1)中，反应气体通入口(2)和反应后气体导出口(3)分别连接在反应室腔体(1)上，带有金属层的基板(5)位于非金属隔热支架(9)上，并同时位于反应室腔体(1)中，高频磁场产生装置(7)位于反应室腔体(1)的侧面外，高频磁场产生装置(7)所产生的磁力线尽量与带有金属层的基板(5)的平面垂直。