[发明专利]聚合物/石墨纳米导电复合材料的制备方法无效
| 申请号： | 200510040100.8 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1827553A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | 应宗荣;胡张俊;杨坤;彭永才;董慧娟 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/536 | 分类号： | C04B35/536;C04B35/634 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种聚合物/石墨纳米导电复合材料的制备方法。本发明将低分子助剂如增塑剂的溶液或乳液与膨胀石墨混合，并待低分子助剂溶液或乳液渗透进入膨胀石墨中后脱除溶剂或分散介质，制成膨胀石墨与低分子助剂相复合的复合膨胀石墨，然后再将复合膨胀石墨与聚合物进行熔融混合以制备得到聚合物/石墨纳米导电复合材料。本发明制备方法简单易行，可以无需使用特殊和价贵有毒的溶剂，制备的聚合物/石墨纳米导电复合材料中，石墨基本以纳米级石墨晶片片层形式分散在聚合物基体内，石墨用量低，导电性能优异，并且制备的导电复合材料成本低廉，易于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 石墨 纳米 导电 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种聚合物/石墨纳米导电复合材料的制备方法，其特征在于：依次进行以下步骤：第一步，将可膨胀石墨在高温下膨胀制成膨胀石墨；第二步，将膨胀石墨与低分子助剂溶液或低分子助剂乳液混合，待低分子助剂溶液或低分子助剂乳液渗透进入膨胀石墨已膨胀开的纳米级石墨晶片片层之间后，脱除低分子助剂溶液的溶剂或低分子助剂乳液的分散介质，得到膨胀石墨与低分子助剂相复合的复合膨胀石墨；第三步，将复合膨胀石墨与基体聚合物熔融混合，制得聚合物/石墨纳米导电复合材料。
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