[发明专利]磁位移传感器无效
| 申请号： | 200510040268.9 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1693837A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 廖启新;邓智泉;王晓琳;陈姝;刘艳君 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人： | 谢振龙 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种磁位移传感器属位移传感器，由永磁块(4)、两块导磁体(3)与(5)、磁通密度测量元件(2)构成，并与被测物(1)构成一个磁回路，通过测量传感器和被测物之间的气隙处的磁通密度，来得到被测物与传感器之间的距离信息。这种磁位移传感器，结构简单，精度较高，传感器与被测物之间可以被非铁磁物质隔离，对隔离物质没有特殊要求。但被测物只能是导磁率较高的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 位移 传感器 | ||
【主权项】：
1，一种磁位移传感器，其特征在于，永磁体(4)装在一块导磁体(3)与另一块导磁体(5)之间构成∏形结构的磁路，且与被测物体(1)构成磁回路，磁通密度测量元件(2)置于导磁体端部与被测物体(1)之间的测量气隙中。
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