[发明专利]基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器无效
| 申请号： | 200510040282.9 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1693909A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄庆安;王立峰;秦明 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于采集电场信号的基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器，包括p型衬底，在衬底上设有共平面的两个重掺杂的n型接触区，在重掺杂的n型接触区上为金属引线，在这两个重掺杂的n型接触区之间设有n型沟道且分别与之相连，在n型接触区及n型沟道的表面设有SiO2层；本发明具有如下优点：利用掺杂半导体中电荷的漂移原理，静态地感应电场，当有外电场入射电场微传感器的n型沟道时，沟道电流会随入射电场的增大而增大，因此可以实现高可靠性、高分辨率的电场微传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 氧化物 半导体 结构 电场 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种用于采集电场信号的基于N型金属氧化物半导体管结构的微电场传感器，包括p型衬底(1)，其特征在于在衬底(1)上设有共平面的两个重掺杂的n型接触区(3)，在重掺杂的n型接触区(3)上为金属引线(5)，在这两个重掺杂的n型接触区之间设有n型沟道(2)且分别与之相连，在n型接触区(3)及n型沟道(2)的表面设有SiO2层(4)。
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