[发明专利]抗辐射电场微传感器无效
| 申请号： | 200510040284.8 | 申请日： | 2005-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN1693911A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 黄庆安;王立峰;秦明 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于采集电场信号的抗辐射电场微传感器，包括p型衬底，在p型衬底的底部设有孔，在p型衬底的上表面设有n型硅，在n型硅上注有两个重掺杂的n型接触区，在两个n型接触区之间设有n型沟道且两个n型接触区通过n型沟道相连，在n型接触区和n型沟道上设有SiO2层，在重掺杂的n型接触区上设有金属引线，本发明具有利用掺杂半导体中电荷的漂移原理静态地感应电场，可靠性较高；由于衬底结构被掏空，形成了p型衬底的底部的孔，辐射到结构内的离子无法到达重掺杂的n型接触区，因此实现了结构的抗辐射等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 电场 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种用于采集电场信号的抗辐射电场微传感器，包括p型衬底(1)，其特征在于在p型衬底(1)的底部设有孔(6)，在p型衬底(1)的上表面设有n型硅(2)，在n型硅(2)上注有两个重掺杂的n型接触区(3)，在两个n型接触区(3)之间设有n型沟道(7)且两个n型接触区(3)通过n型沟道(7)相连，在n型接触区(3)和n型沟道(7)上设有SiO2层(4)，在重掺杂的n型接触区(3)上设有金属引线(5)。
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