[发明专利]单芯片并行隔离放大器

摘要

本发明公开了一种用于并行光纤通信系统的单芯片并行隔离放大器，包括P型衬底，在P型衬底上至少设有2个放大器，在P型衬底上设有与放大器相应数量的N型区，在N型区内设有P阱，在P阱内设有高掺杂P区，高掺杂P区通过接触孔连接有金属内环，放大器位于金属内环围成的内部区域，在位于P阱之外的N型区上设有高掺杂N区，高掺杂N区通过接触孔连接有金属外环且使金属内环位于金属外环之内。本发明所涉及的单芯片CMOS工艺并行光接收放大器隔离结构不仅设计简单，同时可以满足单芯片并行光接收机对放大器之间隔离度的要求。

主权项

1、一种用于并行光纤通信系统的单芯片并行隔离放大器，包括P型衬底(6)，在P型衬底(6)上至少设有2个放大器(1)，其特征在于在P型衬底(6)上设有与放大器(1)相应数量的N型区，在N型区内设有P阱(5)，在P阱(5)内设有高掺杂P区，高掺杂P区通过接触孔连接有金属内环(2)，放大器(1)位于金属内环(2)围成的内部区域，在位于P阱(5)之外的N型区上设有高掺杂N区，高掺杂N区通过接触孔连接有金属外环(3)且使金属内环(2)位于金属外环(3)之内。