[发明专利]高散热效率的大功率半导体发光二极管封装基座及生产工艺无效

专利信息
申请号: 200510040764.4 申请日: 2005-06-24
公开(公告)号: CN1728411A 公开(公告)日: 2006-02-01
发明(设计)人: 彭晖;张涛;梁秉文 申请(专利权)人: 南京汉德森半导体照明有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L23/34;H01L23/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 211000江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明展示几种新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座及其生产的工艺。主要特征如下:在保持封装基座的外形尺寸不变和易于批量生产的情况下,扩大热沉底部的接触面积。主要工艺步骤如下:制造金属支架模片,注塑金属支架模片形成封装基座模片(不包括热沉),在每一个封装基座的背面点胶,把热沉放置在每一个封装基座中,固化胶。本发明揭示的新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座(包括热沉),也可以应用于其他半导体芯片或器件的封装基座。
搜索关键词: 散热 效率 大功率 半导体 发光二极管 封装 基座 生产工艺
【主权项】:
1.一种新型的具有高散热效率的热沉的大功率半导体发光二极管封装基座,包括基座;两个电极,其中,所述的两个电极被封在基座中,所述的两个电极互相电绝缘;热沉;其中,所述的热沉的底部的外形尺寸等于或大于基座的外形尺寸。
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