[发明专利]可调变平面光波导光学衰减器及其生产方法无效
| 申请号： | 200510040932.X | 申请日： | 2005-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN1713008A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 宋奇望;王许明;孙麦可 | 申请（专利权）人： | 奥普为光子科技(无锡)有限公司;宋奇望 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02F1/19 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 可调变平面光波导光学衰减器及其生产方法，是一种用半导体器件生产工艺设备在平面芯片上制造一个或大量光学器件的技术平台。按照本发明所提供的设计方案，在硅衬底上有二氧化硅下包层，在二氧化硅下包层上形成核心波导及覆盖住核心波导的二氧化硅上包层，并在核心波导与二氧化硅上包层间设置侧沟槽，在侧沟槽内充满光热材料，在核心波导上面的二氧化硅上包层上形成加热电极，在器件的上表面设置封帽。本发明用混合集成的方法结合二氧化硅和聚合物的各自优点制成可调变光衰减器(VOA)。 | ||
| 搜索关键词： | 可调 平面 波导 光学 衰减器 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、可调变平面光波导光学衰减器，其特征是：在硅衬底上有二氧化硅下包层，在二氧化硅下包层上形成核心波导及覆盖住核心波导的二氧化硅上包层，并在核心波导与二氧化硅上包层间设置侧沟槽，在侧沟槽内充满光热材料，在核心波导上面的二氧化硅上包层上形成加热电极，在器件的上表面设置封帽。
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