[发明专利]AlN－Si3N4－SiC陶瓷材料的制备方法无效
| 申请号： | 200510041261.9 | 申请日： | 2005-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN1903792A | 公开（公告）日： | 2007-01-31 |
| 发明（设计）人： | 崔崇;王媛婷;江金国 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 | 代理人： | 朱显国 |
| 地址： | 210094江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlN－Si3N4－SiC陶瓷材料的制备方法。它包括以下步骤：将Al粉、Si粉和SiC颗粒按质量比为1～5∶1～7∶3～7配制原料；将配制好的原料加入无水乙醇后球磨；将球磨好的粉料在空气中静置经固液分离后在60～80℃温度下干燥；将干燥后的粉料研磨细化；在研磨过的粉料中加入粘结剂，然后通过搅拌进行造粒；将经过造粒的混合粉料压制成型；将压制成型后的料坯再次在100～120℃温度下进行干燥；将干燥过的料坯进行预氮化，预氮化后的陶瓷坯体进行氮化反应烧结得到AlN－Si3N4－SiC陶瓷材料。本发明的优点是：制备的AlN－Si3N4－SiC陶瓷材料，简化了材料的制备工艺，降低了材料的制备成本；与Si3N4结合SiC陶瓷材料相比其力学性能有了大幅度的提高，显著降低了烧结温度，综合使用性能更好。 | ||
| 搜索关键词： | aln si sub sic 陶瓷材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种AlN-Si3N4-SiC陶瓷材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1.1将Al粉、Si粉和SiC颗粒按质量比为1～5∶1～7∶3～7配制原料；1.2将配制好的原料加入无水乙醇，在球磨罐中球磨；1.3将球磨好的粉料在空气中静置经固液分离后放入干燥箱中干燥，在60～80℃温度下干燥；1.4将干燥后的粉料研磨细化；1.5在研磨过的粉料中加入粘结剂，然后通过搅拌进行造粒；1.6经过造粒的混合粉料压制成型；1.7将压制成型后的料坯再次在100～120℃温度下进行干燥；1.8将干燥过的料坯进行预氮化，预氮化后的陶瓷坯体进行氮化反应烧结得到AlN-Si3N4-SiC陶瓷材料。
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