[发明专利]新型集成电路或分立元件平面凸点式封装工艺及其封装结构

摘要

本发明涉及一种新型集成电路或分立元件平面凸点式封装工艺及其封装结构，工艺步骤：取一片金属基板材(1)正、背两面各自贴上干膜层(2、3)，将上层的部分干膜去除掉，准备形成基岛及引脚，正面镀上活化物质(4.3、4.4)和金属层(4.1、4.2)，去除金属基板(1)上层余下的干膜，半蚀刻，去除基板背面的干膜层(3)，芯片(6)的植入，打金属线(7)，包封塑封体(8)作业，在金属基板(1)背面再次贴上干膜层(10)，半蚀刻区(1.3)背面的干膜，半蚀刻区(1.3)余下部分的金属(1.4)再次进行蚀刻，从而使基岛(1.1)及引脚(1.2)的背面凸出于塑封体(8)，去除余下的干膜，表面镀上活化物质(11.3、11.4)和金属层(11.1、11.2)，塑封体(9)正面贴上胶膜(12)，切割。本发明焊性能力强、品质优良、成本较低、生产顺畅、适用性较强、多芯片排列灵活、不会发生塑封料渗透的种种困扰。

主权项

1、一种新型集成电路或分立元件平面凸点式封装工艺，其特征在于它包括以下工艺步骤：——取一片金属基板材(1)，——在金属基板(1)的正、背两面各自贴上干膜层(2、3)，——将金属基板(1)上层的部分干膜去除掉，在金属基板(1)上准备形成基岛及引脚，——在金属基板(1)上准备形成的基岛及引脚区域的正面镀上活化物质(4.3、4.4)，——在金属基板(1)上准备形成的基岛及引脚区域正面的活化物质(4.3、4.4)上镀上金属层(4.1、4.2)，——去除金属基板(1)上层余下的干膜，——对上道工序中去除干膜的区域进行半蚀刻，在金属基板(1)上形成凹陷的半蚀刻区(1.3)，同时相对形成基岛(1.1)及引脚(1.2)，——去除基板背面的干膜层(3)，——在金属基板(1)的基岛(1.1)正面金属层(4.1)上进行芯片(6)的植入，制成集成电路或分立元件的列陈式集合体半成品，——将已完成芯片植入作业的半成品进行打金属线(7)作业，——将已打线完成的半成品正面进行包封塑封体(8)作业，并进行塑料包封后固化作业，——将已完成塑料包封及后固化作业的半成品，进行正面打印(9)作业，——在金属基板(1)背面再次贴上干膜层(10)，——去除金属基板(1)的半蚀刻区(1.3)背面的干膜，——在金属基板(1)的背面对不被干膜覆盖的区域即半蚀刻区(1.3)余下部分的金属(1.4)再次进行蚀刻，从而使基岛(1.1)及引脚(1.2)的背面凸出于塑封体(8)，——去除金属基板(1)背面余下的干膜，——在凸出塑封体(8)外部的基岛(1.1)及引脚(1.2)表面镀上活化物质(11.3、11.4)，——在凸出塑封体(8)外部的基岛(1.1)及引脚(1.2)表面的活化物质(11.3、11.4)上镀上金属层(11.1、11.2)，——将塑封体(9)正面贴上胶膜(12)，——对已贴上胶膜的半成品进行切割作业，使原本以列阵式集合体方式连在一起的芯片一颗颗独立开来，——将完成切割的产品利用取放转换设备将单颗集成电路或分立元件的塑封体吸出胶膜。