[发明专利]基于SOI技术集成多传感器芯片无效
| 申请号： | 200510041809.X | 申请日： | 2005-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN1664510A | 公开（公告）日： | 2005-09-07 |
| 发明（设计）人： | 赵玉龙;蒋庄德;赵立波 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01D21/02 | 分类号： | G01D21/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基于SOI技术集成多传感器芯片，包括硅膜，硅膜与玻璃底座在真空环境下通过静电键合结合，中间形成相对独立的真空环境，硅膜的岛结构下端固定有重锤，硅膜的岛结构上集成有湿度传感器和温度传感器，硅膜上岛结构的四周集成有压力传感器和加速度传感器，加速度传感器包括Y方向加速度测量电路、X方向加速度测量电路和Z方向加速度测量电路。本发明的集成多传感器芯片采用SOI技术，将温度传感器、压力传感器、加速度传感器和湿度传感器集成在一块芯片上，用一块芯片就可得到尽量多的测量参数，而且解决了多传感器各参量之间相互干扰的问题，其体积小、重量轻，尤其在航空航天领域、军事工业领域、汽车领域以及手机行业等特定领域，具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 技术 集成 传感器 芯片 | ||
【主权项】：
1.基于SOI技术集成多传感器芯片，包括硅膜(1)，硅膜(1)与玻璃底座(3)在真空环境下通过静电键合结合，中间形成相对独立的真空环境，硅膜(1)的岛结构下端固定有重锤(2)，其特征在于，所述硅膜(1)的岛结构上集成有湿度传感器(4)和温度传感器(7)，所述温度传感器(7)的电阻条走向沿100晶向或010晶向，硅膜(1)上岛结构的四周集成有压力传感器(9)和加速度传感器，所述压力传感器(9)和加速度传感器的压阻电阻条沿110或110晶向，所述加速度传感器包括Y方向加速度测量电路(8)、X方向加速度测量电路(5)和Z方向加速度测量电路(6)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510041809.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
