[发明专利]碳/碳复合材料表面碳化硅纳米线的制备方法无效

专利信息
申请号: 200510041813.6 申请日: 2005-03-18
公开(公告)号: CN1834287A 公开(公告)日: 2006-09-20
发明(设计)人: 李贺军;付前刚;史小红;李克智;张守阳 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C23C16/32 分类号: C23C16/32;C23C16/455
代理公司: 西北工业大学专利中心 代理人: 王鲜凯
地址: 710072陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种碳/碳复合材料表面碳化硅纳米线的制备方法,技术特征在于:将碳/碳复合材料打磨抛光后用蒸馏水洗涤干净,在烘箱中烘干;用一束碳纤维将处理过的碳/碳复合材料捆绑后悬挂于立式气相沉积炉中;将沉积炉抽真空后、静置,通氩气至常压,此过程重复三次;通电升温,向炉膛内通氢气预处理,当炉温达到预定沉积温度,调节氩气、氢气和甲基三氯硅烷的流量值,并在该预定温度下保温,随后关掉电源自然降温,整个过程通氩气保护,在材料表面有一层产物,即为碳化硅纳米线。有益效果是:合成工艺简单,不需添加催化剂;碳化硅纳米线在常压下制得,对沉积设备的要求低;沉积温度较低,通过调整沉积参数有效控制合成的碳化硅纳米线的形貌和纯度。
搜索关键词: 复合材料 表面 碳化硅 纳米 制备 方法
【主权项】:
1.一种碳/碳复合材料表面碳化硅纳米线的制备方法,其特征在于:步骤一:将碳/碳复合材料打磨抛光后用蒸馏水洗涤干净,在烘箱中烘干;步骤二:用一束碳纤维将处理过的碳/碳复合材料捆绑后悬挂于立式气相沉积炉中;步骤三:将沉积炉抽真空15分钟后使真空度达到-0.09MPa,静置10分钟,通氩气至常压,此过程重复三次;步骤四:通电升温,当沉积炉温度升至800℃~1200℃时,向炉膛内通氢气预处理试样,氢气流量为300~600ml/min,处理时间为0.5~1h;当炉温达到预定沉积温度,调节氩气、氢气和甲基三氯硅烷的流量值,并在该预定温度下保温1~3小时,随后关掉电源自然降温,整个过程通氩气保护。
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