[发明专利]碳/碳复合材料表面碳化硅纳米线的制备方法无效
申请号: | 200510041813.6 | 申请日: | 2005-03-18 |
公开(公告)号: | CN1834287A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | 李贺军;付前刚;史小红;李克智;张守阳 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/455 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种碳/碳复合材料表面碳化硅纳米线的制备方法,技术特征在于:将碳/碳复合材料打磨抛光后用蒸馏水洗涤干净,在烘箱中烘干;用一束碳纤维将处理过的碳/碳复合材料捆绑后悬挂于立式气相沉积炉中;将沉积炉抽真空后、静置,通氩气至常压,此过程重复三次;通电升温,向炉膛内通氢气预处理,当炉温达到预定沉积温度,调节氩气、氢气和甲基三氯硅烷的流量值,并在该预定温度下保温,随后关掉电源自然降温,整个过程通氩气保护,在材料表面有一层产物,即为碳化硅纳米线。有益效果是:合成工艺简单,不需添加催化剂;碳化硅纳米线在常压下制得,对沉积设备的要求低;沉积温度较低,通过调整沉积参数有效控制合成的碳化硅纳米线的形貌和纯度。 | ||
搜索关键词: | 复合材料 表面 碳化硅 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种碳/碳复合材料表面碳化硅纳米线的制备方法,其特征在于:步骤一:将碳/碳复合材料打磨抛光后用蒸馏水洗涤干净,在烘箱中烘干;步骤二:用一束碳纤维将处理过的碳/碳复合材料捆绑后悬挂于立式气相沉积炉中;步骤三:将沉积炉抽真空15分钟后使真空度达到-0.09MPa,静置10分钟,通氩气至常压,此过程重复三次;步骤四:通电升温,当沉积炉温度升至800℃~1200℃时,向炉膛内通氢气预处理试样,氢气流量为300~600ml/min,处理时间为0.5~1h;当炉温达到预定沉积温度,调节氩气、氢气和甲基三氯硅烷的流量值,并在该预定温度下保温1~3小时,随后关掉电源自然降温,整个过程通氩气保护。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学,未经西北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510041813.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的