[发明专利]基于金属球压接互连技术的电力电子集成模块的制备方法有效
申请号: | 200510041883.1 | 申请日: | 2005-03-31 |
公开(公告)号: | CN1694234A | 公开(公告)日: | 2005-11-09 |
发明(设计)人: | 何晓宇;曾翔君;杨旭;王兆安;王晓宝 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H05K3/34 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 基于金属球压接互连技术的电力电子集成模块的制备方法,首先将MOSFET管芯焊接在钼片上;在Al2O3基板形成需要的电路图形,然后把钼片焊接到Al2O3基板上,将MOSFET管芯的栅极引出;铜箔电极焊接在Al2O3基板与MOSFET管芯的漏极相连接的焊盘上;在印刷电路板与MOSFET管芯源极相对应的位置点加焊料,形成金属球,把另一对铜箔电极焊接在印刷电路板与金属球相连的焊盘上,在印刷电路板的另一面制作所需驱动电路;将MOSFET管芯栅极引出线键合在印刷电路板布有驱动电路一面的相应焊盘上,再将印刷电路板与Al2O3基板组合。本发明通过焊料熔融再冷却后形成金属球,依靠印刷电路板的弹性使金属球与MOSFET管芯实现互连,替代了铝丝互连工艺,因此大大提高了模块的长期可靠性并减小了模块的体积。 | ||
搜索关键词: | 基于 金属 球压接 互连 技术 电力 电子 集成 模块 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、基于金属球压接互连技术的电力电子集成模块的制备方法,其特征在于:1)首先将MOSFET管芯[3]用回流焊工艺焊接在钼片[2]上;2)其次通过沉铜、蚀刻和丝印阻焊工艺在Al2O3基板[1]上形成需要的电路图形,并在Al2O3基板[1]的四角对称位置预留安装孔[4],然后把已经焊上MOSFET管芯[3]的钼片[2]通过回流焊工艺焊接到Al2O3基板[1]上构成功率底板;3)将MOSFET管芯[3]的控制电极(栅极)通过铝丝键合工艺从MOSFET管芯[3]中引出铝丝[10];4)把铜箔电极[9]焊接在Al2O3基板[1]与MOSFET管芯[3]的漏极相连接的焊盘上;5)在印刷电路板[6]的四周与Al2O3基板[1]的安装孔[4]相对应的位置开设印刷电路板安装孔[7],并在印刷电路板[6]与MOSFET管芯[3]源极相对应的位置的焊盘上点加熔点为221℃的焊料,加热熔融,冷却后形成金属球[5],把另一对铜箔电极[9-1]焊接在印刷电路板[6]与金属球[5]相连的焊盘上;7)在印刷电路板[6]的另一面制作所需要的驱动电路[8];8)将MOSFET管芯[3]的控制电极(栅极)引出的铝丝[10]穿过印刷电路板[6]的通孔[11]键合在印刷电路板[6]布有的驱动电路[8]一面的相应焊盘上,再通过安装孔[4]和印刷电路板安装孔[7]将印刷电路板[6]与Al2O3基板[1]连为一体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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