[发明专利]基于温度传感材料应力补偿晶体频率温度特性的方法无效
申请号: | 200510041941.0 | 申请日: | 2005-04-11 |
公开(公告)号: | CN1671047A | 公开(公告)日: | 2005-09-21 |
发明(设计)人: | 周渭;高建宁;宣宗强;张雪萍;王海;周晖 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/15;H03H3/04 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 | 代理人: | 张问芬;韦全生 |
地址: | 71007*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开一种基于温度传感材料应力补偿晶体频率温度特性的方法。用晶体的力频特性和温频特性互补关系补偿晶体振荡器频率。采用真空镀膜法,将温度传感双金属材料镀在晶体谐振器的晶体片或晶体的电极上,当温度变化时,通过传感材料的变形,产生施加于晶体的应力,补偿晶体自身随温度所产生的频率变化。采用本发明的补偿方法,可在较宽的温度范围使晶体的频率-温度特性达±1ppm。在进行应力补偿的基础上,辅以常规简单的线路补偿,可使晶体振荡器频率温度特性达±0.2ppm。能够满足更高精度晶体振荡器的要求,本发明提高了温补振荡器的起点和总体水平,大大简化甚至省略了现有技术温度补偿的各种线路,具有体积小、成本低的优点。 | ||
搜索关键词: | 基于 温度 传感 材料 应力 补偿 晶体 频率 特性 方法 | ||
【主权项】:
1.基于温度传感材料应力补偿晶体频率温度特性的方法,其特征在于采用镀膜方法,将温度传感材料(3)镀在晶体谐振器的晶体片(2)或晶体的电极上(1)上,当温度变化时,通过传感材料(3)的变形,产生施加于晶体(2)的应力,补偿晶体(2)自身随温度变化所产生的频率变化。
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