[发明专利]Ⅲ—Ⅴ族化合物材料上原位淀积SiO2和金属膜的方法

摘要

本发明公开了一种在III－V族化合物材料上原位淀积SiO₂和金属膜的方法，该方法采用电子束EB真空蒸发，用高纯SiO₂颗粒作蒸发源材料，在1个设备的蒸发台内先后完成对SiO₂膜和金属膜的两种膜的蒸发。其过程是对片子进行清洗、光刻后装入电子束EB蒸发台的反应室中并抽真空在2.4×10^－3Pa以上，在室温下先蒸发SiO₂膜，再蒸发金属膜，或者先蒸发金属膜，再蒸发SiO₂膜，蒸发时置电子抡高压为10k，根据蒸发的不同材料给电子抡外加不同电流，并设定二氧化硅/金属的不同密度和系数值，待膜厚达到要求后将电子枪电流减为0，最后将淀积到片子上的二氧化硅/金属进行光刻胶的剥离。本发明具有工艺简单、成本低、环境污染少，生成膜质量好的优点，可用于对微电子器件的批量生产。

主权项

1.一种在III-V族化合物材料上原位淀积SiO2和金属膜的方法，采用电子束EB真空蒸发，用高纯SiO2颗粒作蒸发源材料，在1个设备的蒸发台内先后完成对SiO2膜和金属膜的两种膜蒸发，具体过程如下：(1)对III-V族化合物材料的基片进行清洗、烘干；(2)在清洗、烘干后的基片上光刻图形；(3)将光刻过的基片装入电子束EB蒸发台的反应室中，在室温下分别按如下条件先进行SiO2膜的蒸发，再进行金属膜的蒸发，或者先进行金属膜的蒸发，再进行SiO2膜的蒸发；所述SiO2膜的蒸发工艺条件为：a.将反应室抽真空在2.4×10-3Pa以上；b、将装有SiO2材料的坩埚置待加热位置，置电子抡高压10kv；c、在膜厚仪上，设定SiO2的密度D和系数Z分别为2.202g/cm3和1.07；d、用控制器给电子抡加10～20mA的电流，使SiO2熔化；e、以2-10A/sec的速率进行蒸发，并在蒸发的过程中对电子抡的束斑进行扫描，直到膜厚达到要求后将电子抡电流减为0；所述金属膜的蒸发工艺条件为：a、反应室内真空度维持在2.4×10-3Pa以上；b、将装有金属膜材料的坩埚置待加热位置，置电子抡高压为10kv；c、在膜厚仪上，按照不同的金属材料设定其密度D为2.7～19.3、系数Z值为0.331～1.08；e、用控制器给电子抡按不同金属材料加30～80mA的电流，使金属熔化；d.以1.5-6A/sec的速率进行蒸发，并在蒸发的同时对电子束的束斑进行扫描，待膜厚达到要求后将电子抡电流减为0；(4)将淀积到基片上的二氧化硅/金属进行光刻胶的剥离。