[发明专利]多功能集成传感器芯片的制作方法有效

专利信息
申请号: 200510042729.6 申请日: 2005-05-26
公开(公告)号: CN1725439A 公开(公告)日: 2006-01-25
发明(设计)人: 蒋庄德;赵玉龙;赵立波;周建发 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;B81C1/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 李郑建
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种多功能集成传感器芯片的制作方法,采用微机械电子系统技术和集成电路微加工技术在一个5mm×5mm面积的管芯上制作出能分别敏感压力、温度、湿度三个传感器单元;三个单元基于的效应不同,其中压力单元基于压阻效应,主要用于检测环境的压力变化;温度单元基于热阻效应,用于检测环境温度的变化;湿度单元基于电容原理,用于检测环境湿度的变化。本发明制作的多功能集成传感器芯片可用于检测环境压力、温度、湿度等与人体舒适度有关的参数,提供给环境调控设备实现舒适度满意的小环境,可集成在便携式仪器上,如手表、手机等,便携、使用方便。
搜索关键词: 多功能 集成 传感器 芯片 制作方法
【主权项】:
1.一种多功能集成传感器芯片的制作方法,其特征在于,采用微机械电子系统技术和集成电路微加工技术在一个5mm×5mm面积的管芯上制作出能分别敏感压力、温度、湿度三个传感器单元;其制作方法包括下列步骤:1)将经过清洗的n型单晶硅片经过氧化,形成800±50nm的二氧化硅层;2)然后在二氧化硅层上涂覆光刻胶,加电阻条掩膜板,正面光刻出压力单元和温度传感器单元的电阻条结构形状,并扩散浓度为2×1019/cm3硼离子,形成结深为2~2.5μm的p型电阻条;3)在二氧化硅层上再通过低压气相沉积形成厚度为120nm±20nm氮化硅作为应力匹配层;4)加背腔掩膜板,背面光刻,去除部分二氧化硅,采用乙二胺、邻苯二酚和水的混合物腐蚀液即EPW对n型硅基底进行各向异性腐蚀,形成膜厚为25μm的C型杯压力腔;5)加电阻孔掩膜板,正面光刻形成电阻孔;6)然后正面进行溅射比例为Si∶Al=1∶99的硅铝材料,厚度为2.5μm~3.0μm;7)加电极掩膜板,刻蚀电极形状,形成压力、温度、湿度传感器单元的电极引线,并形成湿度传感器单元的叉指电极;8)在温度为480℃的N2环境中进行30分钟的金属化处理,形成欧姆接触;9)进行真空静电键合,将n型单晶硅片封装在2mm厚的硼硅玻璃上,并在空腔区域形成真空度为10-5毫托的真空腔,用于检测环境压力;10)在湿度单元均匀涂覆感湿膜;11)最后进行划片成单个管芯。
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