[发明专利]多功能集成传感器芯片的制作方法有效
申请号: | 200510042729.6 | 申请日: | 2005-05-26 |
公开(公告)号: | CN1725439A | 公开(公告)日: | 2006-01-25 |
发明(设计)人: | 蒋庄德;赵玉龙;赵立波;周建发 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B81C1/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李郑建 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种多功能集成传感器芯片的制作方法,采用微机械电子系统技术和集成电路微加工技术在一个5mm×5mm面积的管芯上制作出能分别敏感压力、温度、湿度三个传感器单元;三个单元基于的效应不同,其中压力单元基于压阻效应,主要用于检测环境的压力变化;温度单元基于热阻效应,用于检测环境温度的变化;湿度单元基于电容原理,用于检测环境湿度的变化。本发明制作的多功能集成传感器芯片可用于检测环境压力、温度、湿度等与人体舒适度有关的参数,提供给环境调控设备实现舒适度满意的小环境,可集成在便携式仪器上,如手表、手机等,便携、使用方便。 | ||
搜索关键词: | 多功能 集成 传感器 芯片 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种多功能集成传感器芯片的制作方法,其特征在于,采用微机械电子系统技术和集成电路微加工技术在一个5mm×5mm面积的管芯上制作出能分别敏感压力、温度、湿度三个传感器单元;其制作方法包括下列步骤:1)将经过清洗的n型单晶硅片经过氧化,形成800±50nm的二氧化硅层;2)然后在二氧化硅层上涂覆光刻胶,加电阻条掩膜板,正面光刻出压力单元和温度传感器单元的电阻条结构形状,并扩散浓度为2×1019/cm3硼离子,形成结深为2~2.5μm的p型电阻条;3)在二氧化硅层上再通过低压气相沉积形成厚度为120nm±20nm氮化硅作为应力匹配层;4)加背腔掩膜板,背面光刻,去除部分二氧化硅,采用乙二胺、邻苯二酚和水的混合物腐蚀液即EPW对n型硅基底进行各向异性腐蚀,形成膜厚为25μm的C型杯压力腔;5)加电阻孔掩膜板,正面光刻形成电阻孔;6)然后正面进行溅射比例为Si∶Al=1∶99的硅铝材料,厚度为2.5μm~3.0μm;7)加电极掩膜板,刻蚀电极形状,形成压力、温度、湿度传感器单元的电极引线,并形成湿度传感器单元的叉指电极;8)在温度为480℃的N2环境中进行30分钟的金属化处理,形成欧姆接触;9)进行真空静电键合,将n型单晶硅片封装在2mm厚的硼硅玻璃上,并在空腔区域形成真空度为10-5毫托的真空腔,用于检测环境压力;10)在湿度单元均匀涂覆感湿膜;11)最后进行划片成单个管芯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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