[发明专利]超高压动态压力传感器无效
申请号: | 200510042774.1 | 申请日: | 2005-06-09 |
公开(公告)号: | CN1693863A | 公开(公告)日: | 2005-11-09 |
发明(设计)人: | 赵玉龙;蒋庄德;高建忠;赵立波 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01L5/14 | 分类号: | G01L5/14 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人: | 李郑建 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种超高压动态压力传感器,包括壳体,壳体的圆周上有敏感承压膜片,壳体的一端通过螺纹装有应变柱体,在应变柱体上有一平台,该平台上面设置有SOI硅微固态压阻芯片和电路板,SOI硅微固态压阻芯片通过金丝和电路板连接,电路板上的引线通过平台上的孔从应变柱体底部穿出,在壳体的另一端设有可换垫片,该可换垫片和壳体的圆周上的敏感承压膜片相连接。该传感器具有结构简单、合理,测量压力高、动态特性好、耐高温冲击、可重复使用等特点。本发明涉及的超高压动态压力传感器,能够满足炸药起爆测试和炮膛压力场测量等场合的使用要求。 | ||
搜索关键词: | 超高压 动态 压力传感器 | ||
【主权项】:
1.一种超高压动态压力传感器,其特征在于,该传感器包括壳体(2),壳体(2)的圆周上有敏感承压膜片,壳体(2)的一端通过螺纹装有应变柱体(3),在应变柱体(3)上有一平台,该平台上面设置有SOI硅微固态压阻芯片(4)和电路板(5),SOI硅微固态压阻芯片(4)通过金丝和电路板(5)连接,电路板(5)上的引线通过平台上的孔从应变柱体(3)底部穿出,在壳体(2)的另一端设有可换垫片(1),该可换垫片(1)和壳体(2)的圆周上的敏感承压膜片相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510042774.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。