[发明专利]钙钛矿锰氧化物异质薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种钙钛矿锰氧化物异质薄膜，包括硅单晶基片(1)、LSMO薄膜(2)、银电极(3)和Fe薄膜(4)，在硅单晶基片(1)是一层Fe薄膜(4)，在Fe薄膜(4)的上面与Fe薄膜(4)垂直是LSMO薄膜(2)，LSMO薄膜(2)的两端是银电极(3)，电极(3)上有引出线；Fe薄膜(4)的长度大于LSMO薄膜(2)的宽度，Fe薄膜(4)的宽度为LSMO薄膜(2)的一半，Fe薄膜(4)的面积大于LSMO薄膜(2)的面积。还公开了上述锰氧化物异质薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法在硅单晶基片上依次沉积Fe和LSMO薄膜。本发明利用铁薄膜的强氧化性，使LSMO薄膜处于高度氧缺陷状态，从而使光电导改变值从400％上升为1660％；另外，用Si作基片制备的LSMO异质薄膜，造价低廉。

主权项

1、一种钙钛矿锰氧化物异质薄膜，其特征在于：包括硅单晶基片(1)、LSMO薄膜(2)、银电极(3)和Fe薄膜(4)，在硅单晶基片(1)上面是一层Fe薄膜(4)，在Fe薄膜(4)的上面与Fe薄膜(4)垂直是LSMO薄膜(2)，LSMO薄膜(2)的两端是银电极(3)，电极(3)上有引出线；Fe薄膜(4)的长度大于LSMO薄膜(2)的宽度，Fe薄膜(4)的宽度为LSMO薄膜(2)的一半，Fe薄膜(4)的面积大于LSMO薄膜(2)的面积。