[发明专利]大直径SiC单晶的切割方法有效
| 申请号： | 200510044587.7 | 申请日： | 2005-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1739927A | 公开（公告）日： | 2006-03-01 |
| 发明（设计）人： | 徐现刚;胡小波;陈秀芳;李娟;蒋民华 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | B26D1/46 | 分类号： | B26D1/46 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 宁钦亮 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 大直径SiC单晶的切割方法，属于晶体材料加工技术领域。使用线切割机，采用直径为150μm至450μm、外层镀有金刚石颗粒的金刚石切割线，利用金刚石切割线的高速往复运动，实现对大直径SiC单晶棒的切割。本发明具有以下优点：1.可实现直径不小于2英寸的SiC单晶的连续切割；2.由于金刚石线线径小，因此刀缝损失小，刀痕浅，对晶片造成的损伤小，而且可以切出最小厚度达200μm的晶片，极大地节省了成本；3.切割出的晶片翘曲度小，厚度均匀性好，给后续的工艺提供了方便；4.工艺简单，操作方便，自动化程度高，切割精度高。 | ||
| 搜索关键词： | 直径 sic 切割 方法 | ||
【主权项】：
1、一种大直径SiC单晶的切割方法，其特征在于，使用线切割机，采用直径为150μm至450μm、外层镀有金刚石颗粒的金刚石切割线，利用金刚石切割线的高速往复运动，实现对直径不小于2英寸的SiC单晶棒的切割。
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