[发明专利]一种加钙阻燃镁合金的磁场制备方法无效
申请号: | 200510046261.8 | 申请日: | 2005-04-15 |
公开(公告)号: | CN1847431A | 公开(公告)日: | 2006-10-18 |
发明(设计)人: | 杨院生;唐军立;周全;胡壮麒 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | C22C23/00 | 分类号: | C22C23/00 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高镁合金力学性能的制备方法,特别提供了一种加钙阻燃镁合金的磁场制备方法,该方法采用对镁合金添加钙进行合金化阻燃,熔炼时钙加入量是镁合金重量的2-5%,以阻止镁合金熔炼和浇注时的氧化和燃烧,并使镁合金熔体在0.2-1.0T的磁场下凝固,从而阻止镁合金熔炼和浇注时的氧化和燃烧,并提高镁合金的强度和塑性;本发明装置简单,操作方便,能显著提高镁合金的室温和高温力学性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 阻燃 镁合金 磁场 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种加钙阻燃镁合金的磁场制备方法,其特征在于:镁合金熔体在0.2-1.0T的磁场下凝固,对镁合金熔体添加钙进行合金化阻燃,钙加入量是镁合金重量的2-5%。
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