[发明专利]一种纳米棒阵列材料无效
| 申请号： | 200510046365.9 | 申请日： | 2005-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1857995A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 丛洪涛;唐永炳;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B21/072 | 分类号： | C01B21/072 |
| 代理公司： | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 110015辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种纳米棒阵列材料，其特征在于：所述材料组成成份为AlN，所述材料宏观上形成一种纳米棒阵列。本发明的优点是：此场发射材料具有低的开启电压、特别是具有高的发射电流稳定性等一系列优异的场发射性能。此材料制备方法简易、成本低，在平板显示器和阴极场发射器件等领域具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 材料 | ||
【主权项】：
1、一种纳米棒阵列材料，其特征在于：所述材料组成成份为AlN，所述材料宏观上形成一种纳米棒阵列。
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