[发明专利]一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉无效
| 申请号： | 200510046477.4 | 申请日： | 2005-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1721588A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王宁会;王晓臣;黄耀;范卫东 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;F27B3/08;F27D11/08 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 | 代理人： | 侯明远 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于晶体制备装置技术领域，涉及到一种制备氧化镁单晶的电熔装置，特别涉及到一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉。其特征是本发明电弧炉的炉壳为中间带有气隙的双层椭圆柱形结构，电弧加热系统由直流冶炼电源、电极升降系统以及两根垂直安装的石墨电极构成，整个炉体为立式结构。本发明的效果和益处是电弧炉能够大幅度提高氧化镁晶体的产量和质量，同时降低了对电网的冲击，提高了电能的利用率。另外，本发明也可适用于生产其他高温晶体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化镁 直流 电弧炉 | ||
【主权项】：
1.一种制备氧化镁单晶的直流电弧炉，由炉壳，直流冶炼电源(1)，水冷电缆(2)，石墨电极(3)，电极升降机构(4)构成，其特征是：炉壳为双层椭圆柱形结构，内炉壳(5)和外炉壳(6)之间存在气隙(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510046477.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
