[发明专利]高压热充氢制备纳米晶硅薄膜的方法及其专用设备无效
| 申请号： | 200510047084.5 | 申请日： | 2005-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN1920119A | 公开（公告）日： | 2007-02-28 |
| 发明（设计）人： | 谭军;万晔;温井龙;张磊;姚戈 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B28/02 | 分类号： | C30B28/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米晶硅薄膜的制备方法，具体为一种高压热充氢制备纳米晶硅薄膜的方法及其专用设备，主要应用于量子功能器件、发光器件和压力传感器件。该方法对单晶硅在高压氢气的环境中进行长时间氢扩散处理；氢气的压力为10～12MPa，高压反应釜的加热温度为573～723K，渗氢处理时间为120小时～288小时，脱氢时间为48～96小时。设备由反应室、氢气加压传输系统、加热控温系统和真空系统组成。本发明可以直接在单晶片上大面积生成纳米晶硅薄膜，并且在整个表面上厚度均匀；在高压反应釜内部一次性直接生成纳米晶硅薄膜，中间不需要转移和改变单晶硅片的状态；制备的纳米晶硅薄膜中纳米晶粒的尺度均匀，平均晶粒尺度大约在5nm，生成纳米晶硅晶体体积比＞50％。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 热充氢 制备 纳米 薄膜 方法 及其 专用设备 | ||
【主权项】：
1.一种高压热充氢制备纳米晶硅薄膜的方法，其特征在于：首先对单晶硅在高压氢气的环境中进行长时间氢扩散处理，高压反应釜内氢气压力为10～12MPa，高压渗氢过程中高压反应釜的加热温度为573～723K，渗氢处理时间为120小时～288小时；然后，使高压反应釜重新达到真空状态，真空度为1×10-3～2×10-3乇，通过抽真空对单晶硅进行高速脱氢处理，脱氢时间为48～96小时。
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