[发明专利]一种无取向硅钢片的制造方法无效
| 申请号： | 200510047264.3 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1743469A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | 沙玉辉;赵骧;左良;裴伟 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C21D1/26 | 分类号： | C21D1/26;C21D10/00;C21D9/46 |
| 代理公司： | 沈阳东大专利代理有限公司 | 代理人： | 梁焱 |
| 地址： | 110004辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种无取向硅钢片的制造方法，其特征在于成品退火工序中加热和(或)冷却阶段的350～800℃区间内施加稳恒磁场，以得到再结晶织构优化的高性能硅钢片，磁场强度为0.1～12特斯拉(T)。本发明方法制造的无取向硅钢其成分按重量百分数计算为：Si2.0～3.5；Al0.1～2.0；C≤0.01；Mn 0.2～0.35；P≤0.02；S≤0.003；N2≤0.0025；O2≤0.003；余量为Fe和不可避免的杂质。用本发明方法所制造的冷轧无取向硅钢片，有利织构{100}显著增加，而不利织构{111}显著减少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 硅钢片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种无取向硅钢片的制造方法，包括冶炼、连铸、热轧、冷轧、退火、涂绝缘层等工序，其特征在于成品退火工序中温度为350～800℃区间时沿板材轧向施加稳恒磁场，使其再结晶晶粒织构得到有效优化。
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