[发明专利]熔体直接发泡制备泡沫镁的方法无效
| 申请号： | 200510047728.0 | 申请日： | 2005-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1966748A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 杨院生;周全;李处森;童文辉;张宇男;胡壮麒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22C1/08 | 分类号： | C22C1/08;C22C23/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明属于金属材料和功能材料及材料加工领域，特别涉及一种熔体直接发泡制备泡沫镁的方法，包括原料熔化、加发泡剂搅拌、发泡、切割成型等工艺步骤。本发明按一定比例制得镁合金，将镁合金加热至700～730℃温度下熔化，加入占镁合金质量5～30％的碳化硅颗粒，然后降至550℃～650℃的温度，再加入占镁合金和碳化硅总质量2～20％的碳酸镁粉，碳酸镁粉高速搅拌时间为1～10分钟，发泡温度为550℃～650℃，发泡结束后移出发泡炉，冷却降温，切割成材。本发明工艺条件稳定，操作控制准确，制出的泡沫镁产品孔径均匀，可生产不同密度，不同孔径的泡沫镁产品。本发明制造泡沫镁成本低并且工艺简单，适合于较大规模工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 直接 发泡 制备 泡沫 方法 | ||
【主权项】：
1、一种熔体直接发泡制备泡沫镁的方法，其特征在于：将镁合金加热至700～730℃温度下熔化，加入占镁合金质量5～30％碳化硅增粘剂，然后降至550～650℃的温度，再加入占镁合金和碳化硅总质量的2～20％的碳酸镁粉，并搅拌均匀；将搅拌后的熔体倾入发泡槽，并送入发泡炉内发泡，发泡温度为550～650℃；发泡结束后，将发泡槽移出发泡炉，进行冷却降温，取出发泡体，切割成材。
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