[发明专利]片层剥离纳米蒙脱土的制备方法无效
| 申请号： | 200510047794.8 | 申请日： | 2005-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1792791A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李三喜;翟辉;赵效忠;伞晓广;李天一;曲琛;李伟 | 申请（专利权）人： | 沈阳化工学院 |
| 主分类号： | C01B33/40 | 分类号： | C01B33/40;C01B33/44 |
| 代理公司： | 辽宁沈阳国兴专利代理有限公司 | 代理人： | 李丛 |
| 地址： | 110142辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种片层剥离纳米蒙脱土的制备方法，尤其涉及一种采用机械法制备纳米蒙脱土的方法。它包括下述步骤：采用机械化学法对钠基蒙脱土进行有机插层改性，改性蒙脱土的水洗干燥和机械法对干燥后的改性蒙脱土进行片层剥离。本发明对有机插层改性后的蒙脱土进行适当的机械研磨从而得到了良好的片层剥离的纳米蒙脱土，本发明制备方法流程简单、适合工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 纳米 蒙脱土 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、片层剥离纳米蒙脱土的制备方法，其特征在于它包括下述步骤：采用机械化学法对钠基蒙脱土进行有机插层改性，改性蒙脱土的水洗干燥和机械法对干燥后的改性蒙脱土进行片层剥离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳化工学院，未经沈阳化工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510047794.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
