[发明专利]二次电池无效

专利信息
申请号: 200510048895.7 申请日: 2005-11-08
公开(公告)号: CN1801519A 公开(公告)日: 2006-07-12
发明(设计)人: 桥本史子;福嶋弦;铃木浩之 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01M10/40 分类号: H01M10/40;H01M10/04;H01M4/02;H01M4/38;H01M10/36
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 宋莉;贾静环
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供在使用合金材料作为负极活性材料的情况下能够改善充放电循环特性的二次电池。在正极的外端部分配置暴露的正极区域。该暴露的正极区域包括在负极活性材料层的外端部分内一周上在与该外端部分相对的位置中在暴露的正极区域的外侧和里侧的至少一面上的绝缘保护元件。在正极活性材料层中,在螺旋卷绕体中心,外端部分和中心端部分之间的圆心角在卷绕方向上从中心端部分开始优选为0°到-90°,包括端点。
搜索关键词: 二次 电池
【主权项】:
1、二次电池,包括:螺旋卷绕体,其通过层压包含在条形正极集电体上的正极活性材料层的正极、和包含在条形负极集电体上的负极活性材料层的负极、以及在它们之间的隔膜,并螺旋卷绕该正极和负极而形成;其中,该负极包括有能够插入和脱出电极反应物的负极活性材料,该负极活性包括选自金属元素和类金属元素的至少一种作为元素;该正极包括在正极外端部分的暴露的正极区域,在该暴露的正极区域中正极集电体未覆盖有正极活性材料层且是暴露的,以及该暴露的正极区域包括在负极活性材料层的外端部分内一周上在与该外端部分相对的位置中在暴露的正极区域的外侧和里侧的至少一面上的绝缘保护元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510048895.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top