[发明专利]二次电池无效
申请号: | 200510048895.7 | 申请日: | 2005-11-08 |
公开(公告)号: | CN1801519A | 公开(公告)日: | 2006-07-12 |
发明(设计)人: | 桥本史子;福嶋弦;铃木浩之 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01M10/40 | 分类号: | H01M10/40;H01M10/04;H01M4/02;H01M4/38;H01M10/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋莉;贾静环 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供在使用合金材料作为负极活性材料的情况下能够改善充放电循环特性的二次电池。在正极的外端部分配置暴露的正极区域。该暴露的正极区域包括在负极活性材料层的外端部分内一周上在与该外端部分相对的位置中在暴露的正极区域的外侧和里侧的至少一面上的绝缘保护元件。在正极活性材料层中,在螺旋卷绕体中心,外端部分和中心端部分之间的圆心角在卷绕方向上从中心端部分开始优选为0°到-90°,包括端点。 | ||
搜索关键词: | 二次 电池 | ||
【主权项】:
1、二次电池,包括:螺旋卷绕体,其通过层压包含在条形正极集电体上的正极活性材料层的正极、和包含在条形负极集电体上的负极活性材料层的负极、以及在它们之间的隔膜,并螺旋卷绕该正极和负极而形成;其中,该负极包括有能够插入和脱出电极反应物的负极活性材料,该负极活性包括选自金属元素和类金属元素的至少一种作为元素;该正极包括在正极外端部分的暴露的正极区域,在该暴露的正极区域中正极集电体未覆盖有正极活性材料层且是暴露的,以及该暴露的正极区域包括在负极活性材料层的外端部分内一周上在与该外端部分相对的位置中在暴露的正极区域的外侧和里侧的至少一面上的绝缘保护元件。
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