[发明专利]一种日盲区紫外探测器用的薄膜材料及其制造方法无效
申请号: | 200510049139.6 | 申请日: | 2005-02-28 |
公开(公告)号: | CN1684275A | 公开(公告)日: | 2005-10-19 |
发明(设计)人: | 季振国;何作鹏 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/00 | 分类号: | H01L31/00;H01L27/14;H01L21/02;C23C18/00;G01J1/02 |
代理公司: | 杭州之江专利事务所 | 代理人: | 连寿金 |
地址: | 310013浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 一种日盲区紫外探测器用的薄膜材料,其特征是该薄膜材料的分子式为Ni1-XMgXO,式中0.2≤X≤0.3;制造该材料采用下列工艺步骤:1)按照分子式Ni1-XMgXO中的镁/镍原子比,将重量比为1∶1.27~1∶4.63的乙酸镁和乙酸镁放入容器中,以己二醇甲醚为溶剂,冰醋酸为催化剂,在60℃下搅拌50~70分钟,放置陈化24小时,获得均匀透明的绿色溶胶;2)用提拉法或旋涂法在衬底上涂上一层溶胶;3)把涂有溶胶的衬底在80℃下烘干,在500℃下热处理1~2小时,再在900~1100℃下高温热处理2~6小时后自然冷却,获得所需成分的薄膜材料。同现有技术比较,本发明的突出优点是:该薄膜材料制造工艺特别简单,无毒性,成本低,是一种理想的日盲区紫外探测器使用的薄膜材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 盲区 紫外 探测 器用 薄膜 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种日盲区紫外探测器用的薄膜材料,其特征在于:该薄膜材料是镍镁氧化物,其分子式为Ni1-XMgXO,式中0.2≤X≤0.3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的