[发明专利]用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法无效
| 申请号： | 200510050335.5 | 申请日： | 2005-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1710152A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 杨建义;李广波;肖思淼;李宇波;江晓清;王明华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法，在完成将具有数百到数纳米厚度的绝缘体上硅片和衬底片进行清洗、烘干后，将绝缘体上硅片的顶层硅一侧和衬底片进行键合，并去除键合后的绝缘体上硅片的底层硅，获得单晶硅纳米膜。采用本发明制备的硅纳米膜材料的单晶硅层厚度可以从数纳米到数百纳米，厚度均匀性高；材料的光下限制层有足够的厚度可以实现光隔离，可以进行纳米尺寸硅光子器件研制；还可以根据实际器件制作过程中的需要，在绝缘体上硅片和衬底片的键合面上进行预处理，设置电极，实现特定图案等。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 纳米 光子 技术 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于纳米光子技术的单晶硅纳米膜的制备方法，其特征在于采用的步骤如下：1)将具有数百到十几纳米厚度的绝缘体上硅片和衬底片进行清洗后烘干；2)将绝缘体上硅片的顶层硅一侧和衬底片进行键合；3)去除键合后的绝缘体上硅片的底层硅。
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