[发明专利]低温烧结介电陶瓷材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200510050673.9 | 申请日： | 2005-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1749212A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 王家邦;杨辉;方香;陈尚昆 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C04B35/462 | 分类号： | C04B35/462;C04B35/468;C04B35/622;H01B3/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温烧结介电陶瓷材料及其制备方法。第一步将主料BaO－Re2O3－Bi2O3－TiO2混合在1150℃的条件下保温3小时制备陶瓷粉料，第二步引入由BaCO3和CuO共混于750℃制备的BaCuO2－CuO助剂，共混研磨后于950℃保温4小时，第三步磨碎所述的预处理陶瓷粉料，使其平均粒径为约1.0微米；第四步是将熔融水冷法制备的BaO－B2O3－SiO2玻璃粉料与所述的磨碎的预处理陶瓷粉料混合均匀，得到用于制备介电陶瓷的粉料；第五步是将所述的材料成型，并在880～1100℃之间或更低的温度烧制该成型的材料。所得的介电陶瓷组合物可在低温烧结，并具有高的比介电常数、高品质因子Q值。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 烧结 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低温烧结介电陶瓷材料，其特征在于由下列组分组成：awt％{xBaO-yNd2O3-zSm2O3-uBi2O3-vTiO2}bwt％{BaCuO2-CuO}cwt％{BaO-B2O3-SiO2}其中：x＝10.0～20.0mol％，y+z＝7.0～20.0mol％，u＝0.5～5.0mol％，v＝60.0～80.0，a＝74.0～97.0mol％，b＝0.5～6.0wt％，c＝2.5～20.0wt％。
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