[发明专利]一种锗硅肖特基二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 200510050890.8 | 申请日： | 2005-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1713401A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;吴贵斌;唐九耀;赵星;刘国军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及锗硅肖特基二极管及其制作方法，它包括自下而上依次迭置的欧姆接触电极、硅衬底和开有窗口的氮化硅层，在氮化硅层窗口内有锗硅层和镍硅化合物层，其中镍硅化合物层在锗硅层的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层接触的铝电极。制作步骤如下：先在硅衬底上生长一层氮化硅层，接着在氮化硅层上沉积二氧化硅层并光刻出窗口，然后生长锗硅层，用稀释的氢氟酸剥离二氧化硅层，再在锗硅层蒸镀金属镍，退火形成镍硅化合物层，并蒸镀铝电极和欧姆接触电极。本发明的锗硅肖特基二极管由于其锗硅层只存在于氮化硅光刻窗口处，因此能有效地降低器件的反向漏电流，且器件制造无须任何隔离，简化了工艺，提高了集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗硅肖特基 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种锗硅肖特基二极管，包括硅衬底(1)、锗硅层(2)、开有窗口的氮化硅层(3)、镍硅化合物层(4)、铝电极(5)以及欧姆接触电极(6)，其特征在于欧姆接触电极(6)、硅衬底(1)和开有窗口的氮化硅层(3)自下而上依次迭置，锗硅层(2)和镍硅化合物层(4)在氮化硅层(3)的窗口内，其中镍硅化合物层(4)在锗硅层(2)的上面，在氮化硅层的窗口上覆盖与镍硅化合物层(4)接触的铝电极(5)。
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