[发明专利]一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了选择性外延锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层，在二氧化硅层上光刻出窗口，然后放入超高真空化学气相沉积设备的生长室中，生长室抽真空至少10－5Pa，加热硅衬底至400～700℃，生长室通入纯硅源与纯锗烷，控制硅源与锗烷流量比为5∶2sccm，生长室压强10－2～10Pa，在二氧化硅窗口处生长厚度为0.1～0.2μm锗硅薄膜。本发明方法可避免选择性外延锗硅薄膜受高温影响，而且二氧化硅可作为锗硅薄膜之间的自然隔离，无需再制作器件隔离，简化了工艺，提高了集成度。同时二氧化硅与锗硅薄膜之间仅窗口接触，接触面积减小，界面密度降低，用于制备锗硅光电器件，可减少器件的漏电流。

主权项

1.一种选择性外延锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：1)将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，通入纯氧于900～1200℃下热氧化一层0.6～0.7μm的二氧化硅层；2)在二氧化硅层上光刻出窗口，清洗后放入超高真空化学气相沉积设备的生长室中，生长室抽真空至少10-5Pa；3)将生长有二氧化硅层的硅衬底加热至400～700℃，生长室通入纯硅源与纯锗烷，控制纯硅源与纯锗烷流量比为5∶2sccm，生长室压强10-2～10Pa，在二氧化硅窗口处生长厚度为0.1～0.2μm锗硅薄膜。