[发明专利]成孔材料沉积后的CVD室清洗无效
| 申请号： | 200510050914.X | 申请日： | 2005-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1651159A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | A·D·约翰逊;S·德赫安德汉诺;M·D·比特纳;R·N·维蒂斯 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司 |
| 主分类号： | B08B9/08 | 分类号： | B08B9/08;B08B7/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张元忠;王景朝 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明是一种在沉积了含多孔材料的多孔膜后，清洗半导体材料工艺室中设备表面的方法，包括使含有质子供体的气体与设备表面接触，并与设备表面沉积的成孔材料反应；使含有氟供体的气体与设备表面接触，并与设备表面沉积的膜反应。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 沉积 cvd 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种沉积了含有成孔材料的多孔膜后，清洗半导体材料工艺室设备表面的方法，包括：使含有质子供体的气体与设备表面接触，并与设备表面沉积的成孔材料反应；使含有氟供体的气体与设备表面接触，并与设备表面沉积的膜反应。
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