[发明专利]集成电路装置

摘要

本发明是有关于一种集成电路装置。具有电荷陷入层的集成电路装置存储有数种偏压排列方式用以改变存储装置的阈值电压，并通过改变阈值电压的高低来记录数字讯号－0或1。传统的存储装置中，在经过多次循环降低及升高阈值电压后，会造成电荷陷入层中的电荷分布不均匀。这样的电荷不均匀效应会干扰了可达到最低的阈值电压。藉由应用电荷平衡偏压排列方式，可使电荷的分布达到平衡而重新恢复操作的最低阈值电压范围。而应用具有高功函数栅极的存储装置可降低电荷平衡偏压操作方式下的最低阈值电压。

主权项

1、一种集成电路装置，其特征在于其包括：一基底；多数个存储装置，该些存储装置设置于该基底上，每一该些存储装置具有一阈值电压，且包括一栅极与多数个源极/漏极区，其中该些源极/漏极区设置于该基底中，每一该些存储装置更包括一顶介电层、一电荷陷入层与一底介电层介于该栅极与通道之间，其中该栅极包含一材料层，且该材料层具有一高于n型多晶硅的功函数；以及一电流控制器，且该电流控制器耦接该些存储装置，且包括利用逻辑操作以供应一电荷平衡偏压排列，其中该顶介电层、该电荷陷入层与该底介电层具有一组合的有效氧化层厚度，以及该底介电层具有一有效底氧化层厚度，且该有效底氧化层厚度大于3纳米，以及该电荷平衡偏压排列包括一负电压，该负电压是从该存储装置的该栅极到该基底的该通道区域，该负电压的强度为每纳米0.7伏特或更高。