[发明专利]用于制造垂直DRAM中的钨/多晶硅字线结构的方法及由此制造的器件

摘要

一种集成电路，包括至少一个半导体存储器阵列和逻辑电路。存储器阵列包括导电字线。逻辑电路包括具有导电栅极的逻辑晶体管。逻辑晶体管的栅极和字线由多晶硅层和金属层构成。在字线中金属层比多晶硅层厚；以及在逻辑晶体管的栅极中金属层比多晶硅层薄。

主权项

1.一种形成集成电路器件的方法，该集成电路器件包括至少一个半导体存储器阵列区和包括支持区的逻辑电路，该方法包括以下步骤：在设置有字线的所述阵列区和设置有所述逻辑电路的所述支持区中形成多晶硅的厚淀积层；然后，只除去所述阵列区中的厚多晶硅层；然后，在所述阵列区和所述支持区中淀积薄多晶硅层；然后，在所述薄多晶硅层上淀积至少包括元素金属层部分的金属导体涂层；以及然后，分别在所述阵列区和所述支持区中形成字线和栅电极。